PVT法单晶碳化硅的制备

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2025-07-21 

姓名：孙嘉琦   摘  要：碳化硅（SiC）器件因具备高频高效、耐高压高温、抗辐射能力强以及化学性质稳定等诸多优点，在高功率电子器件、光电器件和其他高温应用领域具有广阔的发展前景。而物理气相传输法（PVT）作为目前单晶碳化硅制备中使用最多、产业化最为成熟的技术，已经有不少前人做了大量……